低沉積速率使膜層結(jié)構(gòu)疏松，電子越過其勢壘產(chǎn)生電導的能力弱，加上氧化和吸附作用，所以電阻值較高，電阻溫度系數(shù)偏小，甚至為負值。隨著沉積速率的增大，電阻值也由大到小，而溫度系數(shù)卻由小到大，由負變正。這是由于低沉積速率的薄膜由于氧化而具有半導體特性，所以溫度系數(shù)出現(xiàn)負值;而高沉積速率薄膜趨向金屬的特性，所以溫度系數(shù)為正值。因此，一般情況下，也希望有較高的沉積速率。但對特定的材料要從具體的實驗中正確選擇*的沉積速率。